改进型共源共栅电流镜设计报告0.6um.doc

改进型共源共栅电流镜设计报告Author: 岳生生 Director: 罗广孝（讲师）【摘要】： 本文介绍0.6um CMOS 工艺设计的改进型共源共栅电流镜，利用Hspice仿真，通过仿真图严谨、细致和全面地把这个电流镜设计过程展现给读者。【关键字】：共源共栅、高输出电阻、低输出电压一 边界条件1.1工艺规范(1) 硅晶体的一些常数硅带隙1.205V(300K)波尔兹曼常数1.38e-23J/K本征载流子浓度(300K)1.45e10真空介电常数8.85e-14F/cm硅介电常数1.05e-12F/cm二氧化硅介电常数3.5e-13F/cm电子电荷1.6e-19C(2) 制造工艺0.6um COMS N_WELL 3metal 1poly(3) SPICE LEVEL49 COMS体工艺模型参数MOSFETN_channelP_channel阈值电压0.