1、第 一 章 常 用 半 导 体 器 件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“”和“”表示判断结果填入空内。（1）在 N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为 P 型半导体。（ ）（2）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 RGS大的特点。（ ）（6）若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）解：（1） （2） （3） （4） （5）
2、（6）二、选择正确答案填入空内。（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是 。A. ISeU B. TIeS C. )1e(STUI（3）稳压管的稳压区是其工作在 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5） UGS0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管解：（1）A （2）C （3）C （4）B
3、（5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD0.7V。 解： UO11.3V， UO20， UO31.3V， UO42V， UO51.3V， UO62V。四、已知稳压管的稳压值 UZ6V，稳定电流的最小值 IZmin5mA。求图所示电路中 UO1和 UO2各为多少伏。解： UO16V， UO25V。五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率 PCM200mW，试画出它的过损耗区。解：根据 PCM200mW 可得： UCE40V 时IC5mA， UCE30V 时 IC6.67mA， UCE20V 时 IC10mA， UCE10V 时V2mA6. CCEBRI
4、UIIC20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图 T1.5 所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。 六、电路如图 T1.6 所示， VCC15V， 100， UBE0.7V。试问： （1） Rb50k 时， uO？ （2）若 T 临界饱和，则 Rb？ 解：（1） Rb50k 时，基极电流、集电极电流和管压降分别为 bBEIA 所以输出电压 UO UCE2V。 （2）设临界饱和时 UCES UBE0.7V，所以 k4.5A6.28m.BEbCcESIUVRI七测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 T1.7 所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流
5、区、可变电阻区），并填入表内。 表 T1.7管 号 UGS（th） /V US/V UG/V UD/V 工作状态T1 4 5 1 3 T2 4 3 3 10 T3 4 6 0 5 解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型 MOS 管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表 T1.7 所示。解表 T1.7管 号 UGS（th） /V US/V UG/V UD/V 工作状态T1 4 5 1 3 恒流区T2 4 3 3 10 截止区T3 4 6 0 5 可变电阻区习 题1.1 选择合适答案填入空内。（1）在本征半导体中加入 元素可形成 N 型半导体，加入 元素可形成 P 型半
6、导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当 IB从 12A 增大到 22A 时， IC从 1mA 变为 2mA，那么它的 约为 。A. 83 B. 91 C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流 ID从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨导 gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.2 能否将 1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子
7、会因电流过大而烧坏。 1.3 电路如图所示，已知 ui10sin t (v)，试画出 ui与 uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。解： ui和 uo的波形如解图所示。1.4 电路如图所示，已知 ui5sin t (V)，二极管导通电压 UD0.7V。试画出 ui与 uO的波形，并标出幅值。 解：波形如解上图所示。1.5 电路如图 5（a）所示，其输入电压 uI1和 uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压 UD0.7V。试画出输出电压 uO的波形，并标出幅值。 解： uO的波形如解图 P1.5 所示。k8.1360ZIUR1.6 电路如图所示，二极管导通电压 UD0.7V，常温下 U
8、T26mV，电容 C对交流信号可视为短路； ui为正弦波，有效值为 10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流ID（ V UD）/ R2.6mA其动态电阻 rD UT/ID10故动态电流有效值 Id Ui/rD1mA 1.7 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为 6V 和 8V，正向导通电压为0.7V。试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V 和 14V 等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得 0.7V 和 6V 等两种稳压值。1
9、.8 已知稳压管的稳定电压 UZ6V，稳定电流的最小值 IZmin5mA，最大功耗 PZM150mW。试求图所示电路中电阻 R 的取值范围。解：稳压管的最大稳定电流IZM PZM/UZ25mA电阻 R 的电流为 IZM IZmin，所以其取值范围为 1.9 已 知图所示电路中稳压管的稳定电压 UZ6V，最小稳定电流 IZmin5mA，最大稳定电流IZmax25mA。（1）分别计算 UI为10V、15V、35V 三种情况下输出电压 UO的值；V3.ILOUR。70)(23DminmaxaxinIUVR（2）若 UI35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？解：（1）当 UI10V 时，若 U
10、O UZ6V，则稳压管的电流为 4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 当 UI15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流 IZmin，所以 UO UZ6V同理，当 UI35V 时， UO UZ6V。（2） R)(IDZ29mA IZM25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。1.10 在图所示电路中，发光二极管导通电压 UD1.5V，正向电流在515mA 时才能正常工作。试问：（1）开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？（2） R 的取值范围是多少？解：（1）S 闭合。（2） R 的范围为1.11 电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压 UZ3V， R 的取值合适，uI的波形如
11、图（c）所示。试分别画出 uO1和 uO2的波形。解：波形如解图所示1.12 在温度 20时某晶体管的 ICBO2A，试问温度是 60时 ICBO？解：60时 ICBO5C20BO）（ T32A。1.13 有两只晶体管，一只的 200， ICEO200A；另一只的 100， ICEO10A，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？解：选用 100、 ICBO10A 的管子，因其 适中、 ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。 1.14 已知两只晶体管的电流放大系数 分别为 50 和 100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并
12、在圆圈中画出管子。解：答案如解图所示。 1.15 测得放大电路中六只晶体管的直流电位V9mA3 CQOBCRIuIBECQOBCmA8 URIVuI如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表 P1.15 所示。 解表 P1.15管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6上 e c e b c b中 b b b e e e下 c e c c b c管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN材料 Si Si Si Ge Ge Ge1.16 电路如图所示，晶体管导通时 UBE0.7V， =50。试分析 VBB为0V、1V、1.5
13、V 三种情况下 T 的工作状态及输出电压 uO的值。解：（1）当 VBB0 时，T 截止， uO12V。（2）当 VBB1V 时，因为60bBEQBQUIA所以 T 处于放大状态。（3）当 VBB3V 时，因为160bEQA 所以 T 处于饱和状态。1.17 电路如图所示，试问 大于多少时晶体管饱和？解：取 UCES UBE，若管子饱和，则所以，10CbR时，管子饱和。1.18 电路如图所示，晶体管的 50，| UBE|0.2V，饱和管压降|UCES|0.1V；稳压管的稳定电压 UZ5V，正向导通电压 UD0.5V。试问：当uI0V 时 uO？当 uI5V 时 uO？解：当 uI0 时，晶体管截止，稳压管击穿， uO UZ5V。当 uI5V 时，晶体管饱和， uO0.1V。因为mA2480BCbEIRUCEVI 1.19 分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 解：（a）可能 （b）可能 （c）不能（d）不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。 （e）可能
