1、模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9模拟电子技术试题汇编- 1 -第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入 5 价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。2、 在 N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在 P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_饱和_区、_放大_区、_截止_区。5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管_，另一类称为_ 绝缘栅场效应管_。6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接 N 区，电源的负极接 P 区,这
2、种接法称为_反向接法_或_反向偏置_。7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 _，在电路中可以起_整流_和_检波_等作用。8、双极型半导体三极管按结构可分为_NPN_型和_PNP_型两种，它们的符号分别为_和_。9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的_漂移_运动。10、硅二极管的死区电压约为_0.5_V，锗二极管的死区电压约为_0.1_V。11、晶体管穿透电流 是反向饱 和电流 的_1+_倍，在选用CEOICBOI晶体管的时候，一般希望 尽量_小_。B12、场效应管实现放大作用的重要参数是_跨导_ _。mg13、PN 结具有_单向导电_特性。14、双极型
3、三极管有两个 PN 结，分别是_集电结_和_发射结_。模拟电子技术试题汇编- 2 -15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_正向_偏置，集电路_反向_偏置。16、场效应管是_电压_控制型元件，而双极型三极管是_电流_控制型元件。17、本征硅中若掺入 3 价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。19、PN 结外加正向电压，即电源的正极接 P 区，电源的负极接 N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置_。20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极_、_发射极_和_基极_。21、双极型三
4、极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正_向电压；（2）集电结外加_反_向电压。22、N 型半导体可用_正_离子和等量的_负电子_来简化表示。23、PN 结正向偏置时，空间电荷区将变_窄_。24、二极管的两个电极分别称为_阳_极和_阴_极，二极管的符号是_。25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会_左_移，输出特性曲线会 上 _移，而且输出特性曲线之间的间隔将_增大_。26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是_温度_。27、P 型半导体可用_负_离子和等量的_空穴_来简化表示。28、主要半导体材料是_硅_和_锗_；两种载流子是_空穴_和_电子_；两种杂质半导体是_P 型_和_N 型
5、_。 29、二极管外加 正 向电压导通，外加 反 向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数 会 变大 _， 会 增加 CBOI_，导通电压会 变小 _ 。模拟电子技术试题汇编- 3 -31、双极型三极管有两种载流子导电，即_多数载流子_和_少数载流子_导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即_多数载流子_导电。32、N 型半导体的多数载流子是 电子 ，少数载流子是_空穴_。33、某晶体管的极限参数 ， ， 。若它mWPCM150AICM10VUCEOBR30)(的工作电压 ，则工作电流不得超过_15_ ；若工作电压VUCE10m，则工作电流不得超过_100_ ；若工作电流 ，则工作CE
6、AIC1电压不得超过_30_ 。34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为 =9V ， =6.2V ，AVB= 6V，则该三极管是 _PNP_型三极管，A 为_集电CV_极，B 为_基_极，C 为_发射_极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_ _。36、场效应管输出特性的三个区域分别是_恒流_区、_可变电阻_区、_夹断_区。37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_本征半导体_。38、场效应管与晶体管比较， 场效应 管的热稳定好，输入电阻高， 晶体 管的放大能力强。39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是_发射区_、_基区_和_集电区_。二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以
7、看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏导通状态。A0 B死区电压 C反向击穿电压 D正向压降2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。A少子 B多子 C杂质离子 D空穴模拟电子技术试题汇编- 4 -3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。A截止 B放大 C饱和 D损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。A前者反偏、后者也反偏 B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏 D前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（
8、A ）和（ B ）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（ A ）的流动。A多子 B少子 C自由电子 D.空穴6、当 NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为 （A ） （A ）CUB。EUA B C = D 7、对二极管正向电阻 和反向电阻 的要求是（ C ）ZrFrA 、 都大 B 、 都小 ZrF ZC 很小， 很大 D 大， 小rF8、稳压二极管动态电阻 （ B ），稳压性能愈好。ZrA愈大 B 愈小 C为任意值9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。A 放大 B 截止 C 饱和 D 无法确定10结型场效应管放大电路的偏置方式是（ A、D ）A自给偏
9、压电路 B外加偏压电路 C无须偏置电路 D栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ），而少数载流子的浓度与（ B ）有很大关系。A温度 B掺杂工艺 C杂质浓度 D晶体管缺陷模拟电子技术试题汇编- 5 -12、场效应管属于（ B ）控制型器件，而晶体管若用简化 h 参数来分析，则可认为是（ C ）控制型器件。A电荷 B电压 C电流13、当 PN 节外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（D ）。A大于 B小于 C等于 D变宽 E变窄 F不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）。A左移，下移 B右移，上移 C左移，上移 D
10、右移，下移15、PN 结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。A变窄 B基本不变 C变宽 D.先变窄，后变宽16、 在 25C 时，某二极管的死区电压 Uth0.5V，反向饱和电流 Is0.1pA ，则在 35C 时，下列哪组数据可能正确：（ D ）。A Uth0.575V，Is0.05pA B Uth0.575V ，Is0.2pAC Uth0.475V，Is0.05pA D Uth0.475V ，Is0.2pA17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN 或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为（ B ）。A测试各极间电阻 B测试各极间、对地电压C测试各极电
11、流 三、判断题1、 三极管在工作频率大于最高工作频率 时会损坏。 （ ）Mf2、 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ ）4、P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ）模拟电子技术试题汇编- 6 -5、有人测得晶体管在 =0.6V 时， =5 ，因此认为在此工作点上的 大BEUBIAber约为 。 （ ）265.BmvKI6、 通 常 结 型 场 效 应 管 JFET 在 漏 极 和 源 极 互 换 使 用 时 ， 仍 有 正 常 的 放大 作 用 。 （ ）7、通常的双极型晶
12、体管 BJT 在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。 （ ）8、在 N 型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为 P 型半导体。（ ）9、P 型半导体带正电， N 型半导体带负电。（ ）10、PN 结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（ ）12、由于 PN 结交界面两边存在电位差，所以当把 PN 结两端短路时，就有电流流过。（ ）13、PN 结方程可以描述 PN 结的正向特性和反向特性，也可以描述 PN 结的反向击穿特性。（ ）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ ）15、有人测试晶体管的 ，方法是通过测得晶体
13、管的 ， ，ber 7.0BEUmAIB2推算出 。 （ ）KmAVIUrBEbe 3520/7./四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分）晶体管 1 晶体管 2管脚（各电极）电位3V 3.7V 6V -4V -1.2V -1.4V电极(e 或 b 或 c) e b c c b eNPN 或 PNP NPN PNP材料（Si 或 Ge） Si Ge模拟电子技术试题汇编- 7 -2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共 8 分）管子类型 NPN PNP NPN PNPUe Ub Uc Ue Ub Uc Ue Ub Uc
14、Ue Ub Uc各电极电位（V） 2 1.7 6 -0.1 -0.3 -3 0 4 6 1.3 1.1 1.2状态 c b d a3、如下图，试确定二极管 D 是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算 UX 和 UY 的值（共 9 分）DR2 R+ 1 0 VU YU XD2 RR+ 1 0 VU YU X（a） （b）答案：（a）D 正偏导通I= R37.012RI= =6.2VxU.Vy9.6702.（b）D 仅偏截止I=0=0XU=10Vy4、如下图，设硅稳压管 、 的稳压值分别为 6V 和 9V， 求 Uo 为多少？1DZV2（共 3 分）模拟电子技术试题汇编- 8
15、-VD2VD11K.20VUo1K答： =9-6=3V0U5、（3 分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出 u0。D 导通， VU306、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（9 分）都不能放大电压信号（a） （b） （c）输入交流短路 无直流基极偏压 输入交流短路7、如下图，设硅稳压管 、 的稳压值分别为 6V 和 9V，稳压管的正向压1DZV2降为 0.7V，试写出输出电压 Uo 为多少？（共 8 分）R1 KV D Z 1V D Z 22 5 VR1 KV D Z 1 V D Z 22 5 V模拟电子技术试题汇编- 9 -（a） （b）VU150VU7.01 KV D Z 1V D Z 22 5 VR1 KV D Z 1 V D Z 22 5 V（c） （d）U7.60U608、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止？并求出 UO=？V O1 2 VR 3 K6 VD +-V O1 2 VR 3 K1 5 VD +-（a）D 导通 （b）D 截止 U60U120VO+-1 2 VR 3 KD 1D 21 5 VVO+-1 2 VR 3 KD 1D 23 V（c） 导通 截止 （d） 先导通 截止1D2 2D1=0V =-3V0U0U
