1、一、选择题1已知 u = 10 sin（100t-30）V，i = 10 sin（100t+30）mA。则电压与电流关系是（ ） 。A电压超前电流 60 B电压与电流同相 C电压超前电流 30 D电压滞后电流 60 2图 1 所示电路中，U BA=（ ） 。A、E + IR B、E - IR C、- E + IR D、- E - IR图 13电流与电压为关联参考方向是指（ ） 。A、电流参考方向与电压降参考方向一致 B、电流参考方向与电压升参考方向一致C、电流实际方向与电压升实际方向一致 D、电流实际方向与电压降实际方向一致4. 在图 2 所示电路中，网孔电流如图中所标，其中网孔方程为 ( )
2、 。A B 453iI 4105iIC D 120I I图 25. 一个具有 n 个节点、b 条支路的电路，对其所能列写相互独立的 KVL 方程为( )个。A b-n+1 B n-1 C b+n+1 D b-n6. 在计算戴维南定理求等效电阻时，应将原电路的电源置零，电源置零意味着（ ） 。A. 电压源开路、电流源短路 B. 电压源短路、电流源开路C. 电压源开路、电流源开路 D. 电压源短路、电流源短路7. 当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流（ ）A 一定为正值 B 一定为负值 C 不能肯定是正值或负值 D 可能为负，也可能为正8. 当电路中选择不同的节点为参考节点时，则（
3、 ）A 各支路元件上的电压数值不变 B 各节点上的电位数值不变C 各支路元件上的电压及节点上的电位数值都会改变9直流电路中， （ ） 。A、感抗为 0，容抗为无穷大 B、感抗为无穷大，容抗为 0C、感抗和容抗均为 0 D、感抗和容抗均为无穷大10已知工频电压有效值和初始值均为 220V，则该电压的瞬时值表达式为（ ） 。A、 V B、 Vtu314sin8 )4531sin(2tuC、 V D、不能确定)9(11已知电路复阻抗 Z（3j 4），则该电路一定呈（ ）A、感性 B、容性 C、阻性 D、不能确定12图 3 所示电路，在开关 S 断开瞬间，电容 C 两端的电压为（ ） 。A、10V B
4、、0V C、按指数规律增加 D、5V13在 N 型半导体中，多数载流子是（ ） 。A、电子 B、空穴 C、离子 D、杂质 14测得一放大电路中三极管各极电压如图 4 所示：该管为（ ） 。A. PNP 型硅管B. NPN 型硅管C. PNP 型锗管D. NPN 型锗管15正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（ ） 。A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域16. 本征半导体的载流子浓度随温度上升而变，其中（ ） 。A 自由电子浓度增加，而空穴浓度不变B 空穴浓度增加，而自由电子浓度不变C 空穴和自由电子浓度以同样的规律和倍数增加图 3S
5、(t=0)10mH10V 510F -2V -2.2V-8V图 4D 空穴和自由电子浓度不变17. 杂质半导体中的少数载流子浓度（ ） 。A 与掺杂浓度和温度无关 B 只与掺杂浓度有关C 只与温度有关 D 与掺杂浓度和温度都有关18. 硅二极管的死区电压约为 V， 锗二极管的死区电压约为 V。A 0.5 B 1 C 1.5 D 0.1 19. 测得晶体三极管 时， ； 时， 则该晶体AI30mAI4.2IB0mAIC3三极管的交流电流放大系数为（ ） 。A 80 B 60 C 75 D 1 00 20. 三极管工作在放大区时，发射结为 A ，集电结为 B ；工作在截止区时，发射结为 B ，集电
6、结为 B ；工作在饱和区时，发射结为 A ，集电结为 A ；A 正偏 B 反偏 C 零偏 21. 三极管的三管脚的对地电压分别为 UA=12V、U B=4.7V、U C=4V，则此三极管是 A 材料 C 型管，A 为 E 极，B 为 F 极，C 为 G 极，该三极管处于 H 工作状态。A 硅 B 锗 C NPN D PNP E 集电 F 基 G 发射 H 放大I 截止 J 饱和22. PN 结加正向电压时，空间电荷区 C ，此时电流由 A 形成；PN 结加反电压时，空间电荷区 D ，此时电流由 B 形成。 A 扩散运动 B 漂移运动 C 变宽 D 变窄23. 稳压二极管正常工作时应在特性曲线的
7、 C 区。A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿24. 温度升高时，二极管的反向电流将 A 。A 增大 B 不变 C 减少25. 以下电路中，可用作电压跟随器的是（ ） 。A、差分放大电路 B、共基电路 C、共射电路 D、共集电路26. 差动放大电路的设置是为了（ ） 。A、稳定放大倍数 B.提高输入电阻 C、克服温漂 D、扩展频带27. 放大电路引入直流负反馈后将（ ） 。A、改变输入、输出电阻 B、展宽频带 C、减小放大倍数 D、稳定静态工作点28. 有用信号频率为 7Hz,应采用的滤波电路是（ ） 。A、低通滤波电路 B、高通滤波电路 C、带通滤波电路 D、带阻滤波电路二、填空题1图
8、1 所示元件中电流的真实方向： B 到 A ，电压的真实方向 B 到 A ，吸收功率 50W 。2某正弦交流电路的总电流、总电压相量图如图 2 所示，已知 Im=1.41A ，则 1.41/2-26.5 。VU0I3在图 3 所示电路中，电压 U = 。4. 一阶电路的三要素法中的三个要素是： 初始值 ； 稳态值 ； 时间常数 。5电流 i = 100 cos(314t +300 )A，其有效值为 100/2 ，频率为 314red/s ，初相位为 30 。6对于具有 n 个节点，b 条支路的电路，独立的 KCL 方程数为 n-1 ；独立的 KVL 方程数为 b-(n-1) 。7实际电压源模型
9、“20V、 1”等效为电流源模型时，其电流源 20 A，内阻SI1 。iR8换路定律指出：一阶电路发生的路时，状态变量不能发生跳变。该定律用公式可表示为iL(0+)= iL(0-) 和 uC(0+)= uC(0-) 。(L 和 C是写在 i 的下角的)9反映正弦交流电振荡幅度的量是它的 正幅（最大值） ；反映正弦量随时间变化快慢程度的量是它的 频率 ；确定正弦量计时始位置的是它的 初相 。10R、L、C 并联电路中，电路复导纳虚部大于零时，电路呈 感 性；若复导纳虚部小于零时，电路呈 容 性。11我们把三个最大值相等、 角频率 相同，在相位上互差 120 度的正弦交流电称为对称三相交流电。12
10、晶体三极管工作在饱和区时发射结、集电结的偏置是 发射结正向偏置，集电结正向偏置 整流二极管的整流作用是利用 PN 结的 特性，稳压管的稳压作用是利用 PN结的反向击穿特性。13已知一晶体三极管工作在放大区，并测得三个电极的电位分别为9V、3.2V、3V，则此管为 PNP 型管子。14. 半导体三极管具有放大作用的外部条件是：发射结必须 正向偏置 、集电结必须 反向偏置 。15在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载电阻 ，而前级的输出电阻则也可视为后级的 信号源内阻 。16理想运放工作在线性区存在虚短和虚断的概念，虚短指 两输入端电位相等 ，虚断是指 输入端无电流 。17对于串联负反馈放
11、大电路，为使反馈作用强，应使信号源内阻 尽可能小 ；对于并联反馈放大电路，为使反馈作用强，应使信号源内阻 尽可能大 。18产生低频正弦波一般可用 RC 振荡电路，产生高频正弦波可用 LC 振荡电路。19乙类推挽功率放大电路的效率较高，但这种电路会产生一种被称为 交越 失真的特有的非线性失真现象。为了消除这种失真，应当使推挽功率放大电路工作在 类状态。三、判断题1、理想电压源和理想电流源不可以等效互换。 （ X ）2、RC 一阶电路的零状态响应， 按指数规律上升， 按指数规律衰减。 （ ）CuCi3、电阻元件上只消耗有功功率，不产生无功功率。 （ ）4、几个复阻抗相加时，它们的和增大；几个复阻抗
12、相减时，其差减小。 （ ）5、三相电路只要作 Y 形连接，则线电压在数值上是相电压的 倍。 （ ）36、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ ）7、直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。 （ ）8、只要满足正弦波振荡的相位平衡条件，电路就一定振荡。 （ ）9、在基本共射放大电路中，若晶体管的 增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。 （ ）10、负反馈能减小放大电路的噪声，因此无论噪声是输入信号中混合的还是反馈环路内部产生的，都能使输出端的信噪比得到提高。 （ ）四、分析题1、测得工作在放大电路晶体管的三个电极电流如下图所示，判断它们各是 NPN 管还是 PNP 管，在
13、图中标出 e，b，c 极；NPN B C E2、电路如下图所示。判断电路引入了什么性质的反馈（正、负、电流、电压、串联、并联） 。五、计算题1图示电路，若 2V 电压源发出的功率为 1W，求电阻 R 的值和 1V 电压源发出的功率。2利用叠加定理求图示电路的电压 U。1V2VR13用戴维南定理求左图电路中的电流 I。4求下图所示电路换路前已处于稳定状态，试用三要素法求求 ， 。)(tuc05电路如下图所示，设耦合电容的容量均足够大，对交流信号可视为短路，Rb=360k，R c=2k，R L=6k，U BE=0.7V，=90。（1）试求电路静态工作。 ；（2）试计算该电路的放大倍数 Au，r i，r o+15VRb RcC1C2 + RLui uo- - 3 56V 6A 3 1 U6在图中，设集成运放为理想器件，求下列情况下u o与u s的的关系式： (1)若S 1和S 3闭合，S 2断开，u o=?(2)若S 2闭合，S 1和S 3断开，u o=?RS1 RusS2 R uoS3-A+
